Редактирование: Нагрев одномерного кристалла: температура
Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.
Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы изменения вступили в силу.
Текущая версия | Ваш текст | ||
Строка 2: | Строка 2: | ||
[[Виртуальная лаборатория]] > Подвод тепла > [[Нагрев одномерного кристалла: температура| в кристалл, вывод "T"]] <HR> | [[Виртуальная лаборатория]] > Подвод тепла > [[Нагрев одномерного кристалла: температура| в кристалл, вывод "T"]] <HR> | ||
− | {{#widget:Iframe |url=http://tm.spbstu.ru/htmlets/Tcvetkov/Equations/Heating/Heating_chain_v1.8_Sergey/equations.html |width=100% |height= | + | {{#widget:Iframe |url=http://tm.spbstu.ru/htmlets/Tcvetkov/Equations/Heating/Heating_chain_v1.8_Sergey/equations.html |width=100% |height=530 |border=0 }} |
Аналитическое решение для диссипативной системы с внешним трением предоставлено С.Н. Гавриловым. | Аналитическое решение для диссипативной системы с внешним трением предоставлено С.Н. Гавриловым. |