Редактирование: Моделирование поверхностной диффузии кремния методом молекулярной динамики
Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.
Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы изменения вступили в силу.
Текущая версия | Ваш текст | ||
Строка 35: | Строка 35: | ||
рассматриваемом кристалле. В описываемой компьютерной модели | рассматриваемом кристалле. В описываемой компьютерной модели | ||
используется [[Потенциалы Терсоффа, Бреннера|эмпирический потенциал взаимодействия Терсофа]] для | используется [[Потенциалы Терсоффа, Бреннера|эмпирический потенциал взаимодействия Терсофа]] для | ||
− | атомов кремния | + | атомов кремния [1], [2]. Потенциал Терсоффа относится к многочастичным |
− | к | + | потенциалам [3]. Так же, как вышеупомянутые потенциалы, многочастичные |
− | |||
потенциалы представляются в виде суммы слагаемых по всем парам | потенциалы представляются в виде суммы слагаемых по всем парам | ||
частиц, но каждое слагаемое зависит и от положения других частиц. | частиц, но каждое слагаемое зависит и от положения других частиц. | ||
Строка 51: | Строка 50: | ||
<math> | <math> | ||
− | \underline{v} (t + \tau / 2) = \underline{v} (t - \tau / 2) + \underline{w} (t) \tau | + | \bf{\underline{v}} (t + \tau / 2) = \underline{v} (t - \tau / 2) + \underline{w} (t) \tau |
</math> | </math> | ||
<math> | <math> | ||
− | \underline{r} (t + \tau) = \underline{r} (t) + \underline{v} (t + \tau / 2) \tau | + | \bf{\underline{r}} (t + \tau) = \underline{r} (t) + \underline{v} (t + \tau / 2) \tau |
</math> | </math> | ||
− | где <math>\tau</math> – шаг интегрирования. Ускорение <math>\underline{w}(t)</math> | + | где <math>\tau</math> – шаг интегрирования. Ускорение <math>\bf{\underline{w}}(t)</math> |
вычисляется через силу в тот же момент времени. В начальный | вычисляется через силу в тот же момент времени. В начальный | ||
момент времени задается отсчетная конфигурация. Это может быть | момент времени задается отсчетная конфигурация. Это может быть | ||
Строка 89: | Строка 88: | ||
координаты измеряются в ангстремах, единица времени составляет | координаты измеряются в ангстремах, единица времени составляет | ||
− | + | <math>\mbox{\AA} \sqrt{\frac{m}{\mbox{eV}}} = 5.39523 \cdot 10^{-14}</math> с | |
где <math>m = 28.0855 \cdot 1.66054 \cdot 10^{-27}</math> кг – | где <math>m = 28.0855 \cdot 1.66054 \cdot 10^{-27}</math> кг – | ||
− | масса атома кремния, | + | масса атома кремния, <math>\mbox{\AA} = 10^{-10}</math> м – ангстрем, |
<math>\mbox{eV} = 1.60218 \cdot 10^{-19}</math> Дж – электрон-вольт. | <math>\mbox{eV} = 1.60218 \cdot 10^{-19}</math> Дж – электрон-вольт. | ||
Минимальный период колебаний решетки в этих единицах – величина | Минимальный период колебаний решетки в этих единицах – величина | ||
Строка 182: | Строка 181: | ||
Ниже приведены графики изменения кинетической (1) и полной (2) | Ниже приведены графики изменения кинетической (1) и полной (2) | ||
энергии, значения на вертикальной шкале переведены в Кельвины. | энергии, значения на вертикальной шкале переведены в Кельвины. | ||
+ | Виден горизонтальный участок кривой при 1800 К, на котором, | ||
+ | видимо, происходит плавление. | ||
== Свободная поверхность 1,0,0 == | == Свободная поверхность 1,0,0 == | ||
Строка 196: | Строка 197: | ||
скоростей атомам на каждом шаге интегрирования, охлаждение – с | скоростей атомам на каждом шаге интегрирования, охлаждение – с | ||
помощью введения диссипативных внешних сил, действующих на каждый | помощью введения диссипативных внешних сил, действующих на каждый | ||
− | атом. На рисунках изображены состояния до и после нагревания до | + | атом. На рисунках изображены состояния до и после нагревания до 700 К. |
На первом рисунке видны ряды атомов поверхности пластины, | На первом рисунке видны ряды атомов поверхности пластины, | ||
Строка 223: | Строка 224: | ||
нагревается. На рисунке 2 видно, что адатом задержался над атомом | нагревается. На рисунке 2 видно, что адатом задержался над атомом | ||
поверхностного бислоя, заполняя объемную решетку следующего слоя | поверхностного бислоя, заполняя объемную решетку следующего слоя | ||
− | (т.е. в эпитаксиальном положении). При нагревании выше | + | (т.е. в эпитаксиальном положении). При нагревании выше 300К адатом |
переходит в другое положение, в котором взаимодействует с тремя | переходит в другое положение, в котором взаимодействует с тремя | ||
атомами поверхностного бислоя. Положение адатома над поверхностью | атомами поверхностного бислоя. Положение адатома над поверхностью | ||
Строка 254: | Строка 255: | ||
Ниже изображены распределения адатомов по их смещению | Ниже изображены распределения адатомов по их смещению | ||
− | относительно начальных положений при температуре | + | относительно начальных положений при температуре 1888 К. Серии |
1, 2, 3 диаграммы соответствуют 300, 600 и 900 единицам времени. | 1, 2, 3 диаграммы соответствуют 300, 600 и 900 единицам времени. | ||
Строка 316: | Строка 317: | ||
абсолютная температура, то построим эту характеристику в | абсолютная температура, то построим эту характеристику в | ||
аррениусовых координатах, т.е. зависимость логарифма частоты | аррениусовых координатах, т.е. зависимость логарифма частоты | ||
− | перехода, или среднего времени перехода, от <math>( | + | перехода, или среднего времени перехода, от <math>(1000/T)</math>. В таких |
координатах должна получиться прямая, из наклона которой определим | координатах должна получиться прямая, из наклона которой определим | ||
энергию активации процесса. | энергию активации процесса. | ||
Строка 322: | Строка 323: | ||
[[Файл:vtsaplin_Arren.png]] | [[Файл:vtsaplin_Arren.png]] | ||
− | Поскольку в | + | Поскольку точка плавления кремния находится в рассматриваемом |
− | + | диапазоне температур, следует вычислить два значения энергии | |
− | + | активации: для кривых до и после плавления. Энергия активации до | |
− | 1.259 \,\mbox{eV}</math>. Энергия активации | + | плавления составила <math>E = 2.017 \cdot 10^{-19}</math> Дж <math>= |
− | составила <math>E = 1.775 \cdot 10^{-19} </math> Дж <math> = 1.108 | + | 1.259 \,\mbox{eV}</math>. Энергия активации после |
+ | плавления составила <math>E = 1.775 \cdot 10^{-19}</math> Дж <math>= 1.108 | ||
\,\mbox{eV}</math>. Погрешность вычислений этих величин равна 2 и 6 | \,\mbox{eV}</math>. Погрешность вычислений этих величин равна 2 и 6 | ||
процентов соответственно. Погрешность рассчитывается как | процентов соответственно. Погрешность рассчитывается как | ||
− | среднеквадратичное отклонение от теоретических зависимостей, параметры которых | + | среднеквадратичное отклонение от теоретических зависимостей, |
− | вычисляются методом наименьших квадратов. | + | параметры которых вычисляются методом наименьших квадратов. |
== Оценка частоты перехода адатома в смежные равновесные положения при наличии смежного адатома == | == Оценка частоты перехода адатома в смежные равновесные положения при наличии смежного адатома == | ||
Строка 363: | Строка 365: | ||
| 2 адатома | | 2 адатома | ||
|- | |- | ||
− | | Энергия активации | + | | Энергия активации до плавления, eV |
− | | | + | | 1.259 |
− | | | + | | 1.093 |
|- | |- | ||
− | | Энергия активации | + | | Погрешность |
− | | | + | | 2 % |
− | | | + | | 3 % |
+ | |- | ||
+ | | Энергия активации после плавления, eV | ||
+ | | 1.108 | ||
+ | | 1.031 | ||
+ | |- | ||
+ | | Погрешность | ||
+ | | 7 % | ||
+ | | 15 % | ||
|} | |} | ||
== Литература == | == Литература == | ||
− | + | 1. J. Tersoff, | |
− | |||
− | |||
New Empirical Model for the Structural Properties of Silicon, Phys. | New Empirical Model for the Structural Properties of Silicon, Phys. | ||
− | Rev. Lett., Vol. 56, Num. 6 (1986) | + | Rev. Lett., Vol. 56, Num. 6 (1986) |
− | |||
− | |||
− | |||
− | + | 2. J. Tersoff, | |
− | + | New empirical approach for the structure and energy of covalent | |
+ | system, Phys. Rev. B, Vol. 37, Num. 12 (15 April 1988-II) | ||
− | + | 3. Sakir Erkoc, | |
+ | Empirical many-body potential energy functions used in computer | ||
+ | simulations of condensed matter properties, Physics Reports 278 | ||
+ | (1997) 79-105 |