Редактирование: Вычисление упругих характеристик кристаллических решеток графена и алмаза с применением многочастичных потенциалов

Перейти к: навигация, поиск

Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.

Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы изменения вступили в силу.
Текущая версия Ваш текст
Строка 3: Строка 3:
 
В настоящее время большое внимание уделяется исследованию упругих свойств кристаллической решетки графена (монослой графита).  
 
В настоящее время большое внимание уделяется исследованию упругих свойств кристаллической решетки графена (монослой графита).  
  
В данной работе вычисление модулей упругости кристаллических решеток графена и алмаза ведется аналитически и с помощью компьютерного эксперимента. При вычислении используется метод молекулярной динамики (ММД) <ref name="RFBR" /> с применением многочастичного [[Потенциалы Терсоффа, Бреннера | потенциала Терсоффа]] <ref name="Tersoff1" /> <ref name="Tersoff2" /> <ref name="Erkoc" />, [[Потенциалы Терсоффа, Бреннера | Терсоффа-Бреннера]] <ref name="Brenner1" /> <ref name="Reddy" />, а также [[Потенциалы Терсоффа, Бреннера | потенциала Бреннера второго поколения]] <ref name="Brenner2" />.
+
В данной работе вычисление упругих модулей кристаллических решеток графена и алмаза ведется аналитически и с помощью компьютерного эксперимента. При вычислении используется метод молекулярной динамики (ММД) [1] с применением многочастичного потенциала Терсоффа [2], [3], Терсоффа-Бреннера [4], [5], а также потенциала Бреннера второго поколения [8].
  
 
* Аналитические расчеты: [[И. Е. Беринский]]
 
* Аналитические расчеты: [[И. Е. Беринский]]
 
* Компьютерный эксперимент: [[В. А. Цаплин]]
 
* Компьютерный эксперимент: [[В. А. Цаплин]]
  
== Аналитическое вычисление модулей упругости ==
+
== Аналитическое вычисление упругих модулей ==
  
{| class="wikitable"
+
[[Будет скоро добавлено]]
! colspan="6"| Таблица 1. Результаты вычислений для решетки графена
 
|-
 
| Потенциал
 
| K,<BR> Н / м
 
| Е,<BR> Н / м
 
| nu
 
|-
 
| Терсофф
 
| 176
 
| 407
 
| -0.158
 
|-
 
| Бреннер
 
| 201
 
| 236
 
| 0.412
 
|-
 
| Бреннер 2
 
| 201
 
| 243
 
| 0.397
 
|}
 
 
 
{| class="wikitable"
 
! colspan="7"| Таблица 2: Результаты вычислений для решетки алмаза
 
|-
 
| Потенциал
 
| K,<BR> ГН / м^2
 
| G = C_44,<BR> ГН / м^2
 
| C_11 = C_22,<BR> ГН / м^2
 
| C_12,<BR> ГН / м^2
 
|-
 
| Терсофф
 
| 426
 
| 597
 
| 1132
 
| 72.5
 
|-
 
| Бреннер
 
| 484
 
| 245
 
| 664
 
| 395
 
|-
 
| Бреннер 2
 
| 442
 
| 670
 
| 1123
 
| 101
 
|}
 
  
== Квазистатическое вычисление модулей упругости ==
+
== Описание компьютерного эксперимента ==
  
 
На первом этапе вычисления находится положение равновесия решетки в растянутом состоянии.
 
На первом этапе вычисления находится положение равновесия решетки в растянутом состоянии.
Строка 94: Строка 44:
  
 
Вычислительный процесс разделим на три основные части. Первая часть представляет собой
 
Вычислительный процесс разделим на три основные части. Первая часть представляет собой
вычислительный процесс в целом и включает в себя определение начальных
+
описание вычислительного процесса в целом и включает в себя определение начальных
 
параметров задачи, которые могут варьироваться, а также определение начальной
 
параметров задачи, которые могут варьироваться, а также определение начальной
 
конфигурации рассчитываемой системы, т.е. границы рассматриваемой области, положение и
 
конфигурации рассчитываемой системы, т.е. границы рассматриваемой области, положение и
скорости частиц (атомов) кристаллической решетки. Кроме того, вычислительный
+
скорости частиц (атомов) кристаллической решетки. Кроме того, описание вычислительного
процесс в целом подразумевает последовательность шагов интегрирования по времени и
+
процесса в целом подразумевает последовательность шагов интегрирования по времени и
 
получение результатов вычисления. Вторая часть вычислительного процесса представляет
 
получение результатов вычисления. Вторая часть вычислительного процесса представляет
собой один шаг интегрирования по времени. Результатом этой части
+
собой описание одного шага интегрирования по времени. Результатом этой части
 
вычислительного процесса является определение наборов соседних атомов для каждого атома
 
вычислительного процесса является определение наборов соседних атомов для каждого атома
 
системы с учетом граничных условий, т.е. условий периодичности на границе
 
системы с учетом граничных условий, т.е. условий периодичности на границе
Строка 111: Строка 61:
 
один атом.
 
один атом.
  
На втором этапе механические напряжения в решетке вычисляются по формулам <ref name="Krivtsoff1" />:
+
На втором этапе механические напряжения в решетке вычисляются по формулам [6]:
  
 
<math>
 
<math>
Строка 146: Строка 96:
 
<math>\tau_{12} = 2 C_{44} \varepsilon_{12}</math>.
 
<math>\tau_{12} = 2 C_{44} \varepsilon_{12}</math>.
  
При этом модули упругости выражаются через эти коэффициенты по формулам:
+
При этом упругие модули выражаются через эти коэффициенты по формулам:
  
 
<math>
 
<math>
Строка 161: Строка 111:
 
В трехмерном ортотропном материале с кубической симметрией (алмаз) коэффициенты упругости
 
В трехмерном ортотропном материале с кубической симметрией (алмаз) коэффициенты упругости
 
определяются через следующие выражения:
 
определяются через следующие выражения:
 
[[Файл:vtsaplin_pic3.png|thumb]]
 
  
 
<math>  \begin{array}{l}
 
<math>  \begin{array}{l}
 
     \sigma_1 = C_{11} \varepsilon_{11} + C_{12} \varepsilon_{22} + C_{12} \varepsilon_{33},\quad
 
     \sigma_1 = C_{11} \varepsilon_{11} + C_{12} \varepsilon_{22} + C_{12} \varepsilon_{33},\quad
 +
%
 
     \sigma_2 = C_{12} \varepsilon_{11} + C_{11} \varepsilon_{22} + C_{12} \varepsilon_{33},\\
 
     \sigma_2 = C_{12} \varepsilon_{11} + C_{11} \varepsilon_{22} + C_{12} \varepsilon_{33},\\
 +
%
 
     \sigma_3 = C_{12} \varepsilon_{11} + C_{12} \varepsilon_{22} + C_{11} \varepsilon_{33},\\
 
     \sigma_3 = C_{12} \varepsilon_{11} + C_{12} \varepsilon_{22} + C_{11} \varepsilon_{33},\\
 +
%
 
     \tau_{12} = 2 C_{44} \varepsilon_{12},\quad
 
     \tau_{12} = 2 C_{44} \varepsilon_{12},\quad
 +
%
 
     \tau_{23} = 2 C_{44} \varepsilon_{23},\quad
 
     \tau_{23} = 2 C_{44} \varepsilon_{23},\quad
 +
%
 
     \tau_{31} = 2 C_{44} \varepsilon_{31}.
 
     \tau_{31} = 2 C_{44} \varepsilon_{31}.
 
   \end{array}
 
   \end{array}
 
</math>
 
</math>
  
Модули упругости выражаются по формулам:
+
Упругие модули выражаются по формулам:
  
 
<math>
 
<math>
 
     \nu = \frac{C_{12}}{C_{11} + C_{12}},\quad
 
     \nu = \frac{C_{12}}{C_{11} + C_{12}},\quad
 +
%
 
     E = \frac{(C_{11} - C_{12}) (C_{11} + 2 C_{12})}{(C_{11} + C_{12})},\quad
 
     E = \frac{(C_{11} - C_{12}) (C_{11} + 2 C_{12})}{(C_{11} + C_{12})},\quad
 +
%
 
     K = \frac{1}{3}(C_{11} + 2 C_{12}).
 
     K = \frac{1}{3}(C_{11} + 2 C_{12}).
 
</math>
 
</math>
Строка 202: Строка 157:
 
|  <math>r_8 (3 a_d / \sqrt{3}, 3 a_d / \sqrt{3}, a_d / \sqrt{3})</math>.
 
|  <math>r_8 (3 a_d / \sqrt{3}, 3 a_d / \sqrt{3}, a_d / \sqrt{3})</math>.
 
|}
 
|}
 +
 +
[[Файл:vtsaplin_pic3.png|thumb]]
  
 
Объем такой ячейки равен <math>64\,a_d^3\,/\,3\sqrt{3}</math>, т.е. на один атом приходится объем,
 
Объем такой ячейки равен <math>64\,a_d^3\,/\,3\sqrt{3}</math>, т.е. на один атом приходится объем,
 
равный <math>8\,a_d^3\,/\,3\sqrt{3}</math>. Результаты вычислений представлены в таблице 2.
 
равный <math>8\,a_d^3\,/\,3\sqrt{3}</math>. Результаты вычислений представлены в таблице 2.
 +
 +
== Квазистатическое вычисление упругих модулей ==
 +
 +
[[Правильная формулировка?]]
 +
 +
В  результате компьютерного эксперимента для графена получены значения, приведенные в таблице 1. Количество цифр соответствует точности вычисления.
  
 
{| class="wikitable"
 
{| class="wikitable"
Строка 213: Строка 176:
 
| Е,<BR> Н / м
 
| Е,<BR> Н / м
 
| nu
 
| nu
| <math>C_{11} = C_{22}</math>,<BR> Н / м
+
| C_11 = C_22,<BR> Н / м
| <math>C_{12}</math>,<BR> Н / м
+
| C_12,<BR> Н / м
 
|-
 
|-
 
| Терсофф
 
| Терсофф
Строка 245: Строка 208:
 
| Е,<BR> ГН / м^2
 
| Е,<BR> ГН / м^2
 
| nu
 
| nu
| <math>G = C_{44}</math>,<BR> ГН / м^2
+
| G = C_44,<BR> ГН / м^2
| <math>C_{11} = C_{22}</math>,<BR> ГН / м^2
+
| C_11 = C_22,<BR> ГН / м^2
| <math>C_{12}</math>,<BR> ГН / м^2
+
| C_12,<BR> ГН / м^2
 
|-
 
|-
 
| Терсофф
 
| Терсофф
Строка 274: Строка 237:
 
|}
 
|}
  
== Динамическое вычисление модулей упругости ==
+
== Динамическое вычисление упругих модулей ==
 
 
Для вычисления модулей упругости графена динамическим способом находится период
 
гармонических колебаний кристаллической решетки. Форма колебаний задается
 
синусоидальной, кратной длине ячейки периодичности. Рассматриваются два вида колебаний:
 
продольные и поперечные. В обоих случаях отношение пространственного и временного
 
периода колебаний равно скорости распространения соответствующей бегущей волны. Если
 
<math>u_1, u_2</math> – компоненты вектора смещения частиц, зависящие от координаты <math>x_1</math>, что
 
соответствует распространению волны вдоль оси <math>OX_1</math>, то уравнение продольных колебаний
 
имеет вид:
 
 
 
<math>
 
    C_{11} \partial_{11} u_1 = \rho \ddot{u}_1,
 
</math>
 
 
 
откуда следует выражение для скорости распространения волны:
 
 
 
<math>
 
    V^2 = \frac{C_{11}}{\rho} = \left(\frac{l}{T}\right)^2,
 
</math>
 
 
 
где <math>V</math> – скорость распространения волны, <math>\rho</math> – плотность среды, <math>l</math> – длина
 
волны, <math>T</math> – период колебаний.
 
 
 
Уравнение поперечных колебаний имеет вид:
 
 
 
<math>
 
    C_{44} \partial_{11} u_2 = \rho \ddot{u}_2,
 
</math>
 
  
соответствующее выражение для скорости: <math>\displaystyle V^2 = \frac{C_{44}}{\rho}</math>.
+
Для вычисления упругих модулей динамическим способом находится период гармонических колебаний кристаллической решетки c заданной длиной волны. Рассматриваются два вида колебаний: продольные и поперечные.
  
Аналогично, для волн вдоль оси <math>OX_2</math>:
+
В результате упругие модули получили значения, приведенные в таблицах 3, 4.
 
 
<math>
 
    C_{22} \partial_{22} u_2 = \rho \ddot{u}_2, \quad
 
    V^2 = \frac{C_{22}}{\rho}.
 
</math>
 
 
 
<math>
 
    C_{44} \partial_{22} u_1 = \rho \ddot{u}_1, \quad
 
    V^2 = \frac{C_{44}}{\rho}.
 
</math>
 
 
 
Для гармонических колебаний вдоль оси <math>OX_1</math> с длиной волны <math>l = 219.8 \mbox{Å}</math>
 
(50 ячеек периодичности) в ходе компьютерного эксперимента получены значения периода
 
продольных колебаний <math>24.68 \pm 0.01</math> и периода поперечных колебаний <math>32.36 \pm 0.01</math>.
 
В качестве единицы времени выбрана величина периода колебаний одного атома в
 
прямой бесконечной цепочке атомов при условии, что другие атомы закреплены.
 
Для колебаний вдоль оси <math>OX_2</math> с длиной волны <math>l = 253.8 \mbox{Å}</math> (100
 
ячеек периодичности) период продольных колебаний составил <math>28.50 \pm 0.01</math>, период
 
поперечных колебаний <math>37.36 \pm 0.01</math>. В результате модули упругости получили значения, приведенные в таблицах 3, 4.
 
  
 
{| class="wikitable"
 
{| class="wikitable"
Строка 334: Строка 250:
 
| Е,<BR> Н / м
 
| Е,<BR> Н / м
 
| nu
 
| nu
| <math>C_{11} = C_{22}</math>,<BR> Н / м
+
| C_11 = C_22,<BR> Н / м
| <math>C_{12}</math>,<BR> Н / м
+
| C_12,<BR> Н / м
| <math>G = C_{44}</math>,<BR> Н / м
+
| G = C_44,<BR> Н / м
 
|-
 
|-
 
| Терсофф
 
| Терсофф
Строка 367: Строка 283:
 
|-
 
|-
 
| Потенциал
 
| Потенциал
| <math>C_{11} = C_{22}</math>, ГН / м<math>^2</math>
+
| C_11 = C_22,<BR> ГН / м^2
| <math>G = C_{44}</math>, ГН / м<math>^2</math>
+
| G = C_44,<BR> ГН / м^2
 
|-
 
|-
 
| Терсофф
 
| Терсофф
| <math>1018</math>
+
| 1018
| <math>610.7</math>
+
| 610.7
 
|-
 
|-
 
| Бреннер
 
| Бреннер
| <math>613.8 \pm 0.2</math>
+
| 590
| <math>379.8 \pm 0.1</math>
+
| 361
|-
 
| Бреннер2
 
| <math>1060.3 \pm 0.4</math>
 
| <math>711.5 \pm 0.3</math>
 
 
|}
 
|}
  
== Приложение ==
 
 
[[Таблицы параметров вычислительных экспериментов]]
 
 
== Список литературы ==
 
 
<references>
 
 
<ref name="RFBR">А.М.Кривцов, И.Б.Волковец, П.В.Ткачев, В.А.Цаплин, Применение метода динамики
 
частиц для описания высокоскоростного разрушения твердых тел // Математика. Механика.
 
Информатика. Труды конференции, посвященной 10-летию РФФИ. – М. ФИЗМАТЛИТ, 2004. С.
 
361–377 [[Медиа:RFBR.pdf |(1122 Kb)]]</ref>
 
 
<ref name="Tersoff1">J.Tersoff, New empirical approach for the structure and energy of covalent system
 
// Phys.Rev. B (1988) V. 37, No 12, P.6991–6999[[Медиа:tersoff-silicon(main).pdf | (2.50 Mb)]]</ref>
 
 
<ref name="Tersoff2">J.Tersoff, Empirical Interatomic Potential for Carbon, with Applications to Amorphous
 
Carbon // Phys.Rev. B. 1988. 61, 2879–2882.
 
[[Медиа:tersoff-carbon.pdf | (708 Kb)]]</ref>
 
 
<ref name="Erkoc">Sakir Erkoc, Empirical many-body potential energy functions used computer simulations
 
of condensed matter properties, Physics Reports 278 (1997), P. 79–105[[Медиа:Erkoc_1997.pdf | (937 Kb)]]</ref>
 
 
<ref name="Brenner1">D.W.Brenner. Empirical Potential for Hydrocarbons for Use in Simulating the
 
Chemical Vapor Deposition of Diamond Films // Phys.Rev. B. 1990. V.42, pp. 9458–9471.
 
[[Медиа:brenner-phys-rev.pdf | (2.21 Mb)]] [[Медиа:brenner-errors.pdf | (Errata 102 Kb)]]</ref>
 
 
<ref name="Reddy">C.D.Reddy, S.Rajendran and K.M.Liew, Equilibrium configuration and continuum
 
elastic properties of finite sized graphene // Nanotechnology, 2006, 17, 864–870.</ref>
 
 
<ref name="Brenner2">D.W.Brenner, O.A.Shenderova, J.A.Harrison, S.J.Stuart, B.Ni, S.B.Sinnot.
 
A second-generation reactive empirical bond order (REBO) potential energy expression for
 
hydrocarbons // J.Phys: Condens. Matter 14 (2002), 783–802.
 
[[Медиа:brenner2002.pdf | (144 Kb)]]</ref>
 
 
<ref name="Krivtsoff1">А.М.Кривцов, Деформирование и разрушение твердых тел с микроструктурой,
 
М: ФИЗМАТЛИТ, 2007, 304 с.</ref>
 
 
</references>
 
  
 
[[Category: Проект "Кристалл"]]
 
[[Category: Проект "Кристалл"]]
Вам запрещено изменять защиту статьи. Edit Создать редактором

Обратите внимание, что все добавления и изменения текста статьи рассматриваются как выпущенные на условиях лицензии Public Domain (см. Department of Theoretical and Applied Mechanics:Авторские права). Если вы не хотите, чтобы ваши тексты свободно распространялись и редактировались любым желающим, не помещайте их сюда.
Вы также подтверждаете, что являетесь автором вносимых дополнений или скопировали их из источника, допускающего свободное распространение и изменение своего содержимого.
НЕ РАЗМЕЩАЙТЕ БЕЗ РАЗРЕШЕНИЯ МАТЕРИАЛЫ, ОХРАНЯЕМЫЕ АВТОРСКИМ ПРАВОМ!

To protect the wiki against automated edit spam, we kindly ask you to solve the following CAPTCHA:

Отменить | Справка по редактированию  (в новом окне)