Редактирование: Моделирование поверхностной диффузии кремния методом молекулярной динамики
Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.
Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы изменения вступили в силу.
Текущая версия | Ваш текст | ||
Строка 196: | Строка 196: | ||
скоростей атомам на каждом шаге интегрирования, охлаждение – с | скоростей атомам на каждом шаге интегрирования, охлаждение – с | ||
помощью введения диссипативных внешних сил, действующих на каждый | помощью введения диссипативных внешних сил, действующих на каждый | ||
− | атом. На рисунках изображены состояния до и после нагревания до | + | атом. На рисунках изображены состояния до и после нагревания до 700 К. |
На первом рисунке видны ряды атомов поверхности пластины, | На первом рисунке видны ряды атомов поверхности пластины, |